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    将GaN裸片镶嵌到PCB中

    发布日期:2024-11-30 09:39    点击次数:90

    (原标题:将GaN裸片镶嵌到PCB中)

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    着手:本文编译自eenewseurope,谢谢。

    英国的一个口头正在开发封装功率功能,举例遴荐预封装氮化镓(GaN)器件的半桥,以缩短资本、放松分量和缩小尺寸。

    PCB 镶嵌式电源预封装电源开荒 (P3EP) 口头一直在开发因循 PCB 镶嵌式电源系统的功能。它使用来自Cambridge GaN Devices的智能 GaN 开荒、来自RAM Innovations的镶嵌式封装专科常识以及来自 Cambridge Microelectronics、诺丁汉大学分拆公司 TTPi 和复合半导体诈欺弹射器的板级因循,并由斯温顿分销商 PPM Power 指点。

    口头讲求东谈主、英国 PPM Power 家具营销司理 Joe Petrie 默示,到当今为止,镶嵌式电力电子家具还莫得可用的供应链。P3EP 口头使英国 PEMD 行业约略为平庸的市集提供更小、更轻、更可靠的电源科罚有绸缪。

    预封装比裸片具有要紧上风,因为它们允许在镶嵌开荒和系统 PCB 拼装之前进行测试、特色分析和可靠性任性。这幸免了在最终家具拼装之前无法测试有颓势的镶嵌式芯片的问题。

    预封装允许进行中期测试,因此可确保 PEMD 系统的产量达到最好。此外,预封装使用与芯片兼容性最好的材料,从而大大简化了系统 PCB 的镶嵌过程。Petrie 默示,这应该能让英国的电力电子制造商制造出功率密度最高的养息器。

    该口头已开发出 GaN 芯片和铜金属化的供应链能力、GaN 预封装的坐蓐能力(包括单芯片、多芯片和半桥嘱咐)以及用于定制预封装和镶嵌式电源子系统的数字器具链。商议为止表征了威尔士纽波特 CSAC 的开荒、预封装和镶嵌式子系统的电气、热和可靠性性能。

    RAM Innovations 总司理 Nigel Salter 默示:“尽管 GaN 升迁养息后果和增多功率密度的后劲已获取普遍认同,但让 OEM 在其遐想中本色使用它仍然具有挑战性。P3EP 旨在设立一个渊博而有用的供应链,将革命半导体供应商开发的 GaN 开荒从实验室带到实际寰宇。”

    “汽车、航空航天和工业范畴需要使用基于模块的科罚有绸缪,这些科罚有绸缪易于使用,并可融入现存坐蓐过程。这些科罚有绸缪需要随时多半供应,”RAM 家具开发司理 Geoff Haynes 补充谈。

    “通过参与 P3EP,咱们正在匡助将宽带隙功率模块的采购与 OEM 和系统集成商的盼望相谄谀。这意味着他们不错有一个不错捏续依赖的渠谈,并约略快速从开动样品增多到量产水平。”

    基于 P3EP 措施的镶嵌式 WBG 开荒的电源系统将改善电源养息器的分量、尺寸和后果。这些方面关于最初遴荐该本事的汽车和电动航空航天诈欺尤为病笃。

    34 个月内,P3EP 口头将专注于镶嵌 GaN。不外,该措施也可诈欺于其他半导体材料,如碳化硅以致硅。

    https://www.eenewseurope.com/en/gan-boost-from-pcb-packaged-power-project/

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